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反應離子刻蝕

通過反應離子刻蝕(RIE)的方法,刻蝕基底材料。主要為刻蝕SiO和SiN。

設備型號為Oxford PlasmaPro 100 RIE,最大支持6寸片。

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服務介紹:

通過反應離子刻蝕(RIE)的方法,刻蝕基底材料。主要為刻蝕SiO和SiN。

設備型號為Oxford PlasmaPro 100 RIE,最大支持6寸片。

服務內容:

1. 反應離子刻蝕基底

2. 去除光刻膠(可選)

3. 光學檢測


服務說明:

客戶提供:基片。提供掩模圖形信息(光刻膠/介質/金屬等)。

實驗周期:1-2個工作日。

收費標準:××元/片次;特殊片另行協商。


成果展示:

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